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非晶硅與低溫多晶硅的區(qū)別

日期:2024-12-23 15:04
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摘要:
非晶硅與低溫多晶硅的區(qū)別
 

據(jù)中國太陽能網(wǎng)報道,低溫多晶硅LTPS是Low Temperature PloySilicon的縮寫,一般情況下低溫多晶硅的制程溫度應(yīng)低于攝氏600度,尤其對LTPS區(qū)別于a-Si制造的制造程序“激光退火”(laseranneal)要求更是如此。與a-Si相比,LTPS的電子移動速度要比a-Si快100倍,這個特點(diǎn)可以解釋兩個問題:首先,每個LTPSPANEL都比a-Si PANEL反應(yīng)速度快;其次,LTPS PANEL外觀尺寸都比a-SiPANEL小。下面是LTPS與a-Si相比所持有的顯著優(yōu)點(diǎn):1、把驅(qū)動IC的外圍電路集成到面板基板上的可行性更強(qiáng);2、反應(yīng)速度更快,外觀尺寸更小,聯(lián)結(jié)和組件更少;3、面板系統(tǒng)設(shè)計更簡單;4、面板的穩(wěn)定性更強(qiáng);5、解析度更高,

 

  激光退火:

  p-Si與a-Si的顯著區(qū)別是LTPSTFT在制造過程中應(yīng)用了激光照射。LTPS制造過程中在a-Si層上進(jìn)行了激光照射以使a-Si結(jié)晶。由于封裝過程中要在基板上完成多晶硅的轉(zhuǎn)化,LTPS必須利用激光的能量把非結(jié)晶硅轉(zhuǎn)化成多晶硅,這個過程叫做激光照射。

  電子移動性:

  a-SiTFT的電子移動速率低于1 cm2/V.sec,同時驅(qū)動IC需要較高的運(yùn)算速率來驅(qū)動電路。這就是為什么a-SiTFT不易將驅(qū)動IC集成到基板上。相比之下,p-Si電子的移動速率可以達(dá)到100cm2/V.sec,同時也更容易將驅(qū)動IC集成到基板上。結(jié)果是,首先由于將驅(qū)動IC、PCB和聯(lián)結(jié)器集成到基板上而降低了生產(chǎn)成本,其次使產(chǎn)品重量更輕、厚度更薄。

  解析度:

  由于p-SiTFT比傳統(tǒng)的a-Si小,所以解析度可以更高。

  穩(wěn)定性:

  p-SiTFT的驅(qū)動IC合成在玻璃基板上有兩點(diǎn)好處:首先,與玻璃基板相連接的連接器數(shù)量減少,模塊的制造成本降低;其次,模塊的穩(wěn)定性將得以戲劇性的升高。

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